Yayın: Nano ölçekli vanadyum oksit ince film akıllı malzemelerin farklı kalınlıklarda büyütülmesi
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayımcı
Anadolu Üniversitesi
Özet
Sıcaklık farkıyla yarı iletken fazdan iletken faza geçişe sahip olması ve bilinen birçok dikkat çekici özellikleri nedeniyle Vanadyum Oksit (VOx), farklı uygulamalar için kullanılmaktadır. Ayrıca, yüksek TCR (direncin sıcaklık sabiti) değeri, düşük elektriksel gürültü ve düşük elektriksel direnç (R) gibi değerlere sahip olması nedeniyle Vanadyum Oksit ön plana çıkmaktadır. Bu yüksek lisans tezi kapsamında, vurmalı DC reaktif magnetron sıçratma (P-DC RMS) yöntemi ile Si/SiO2 ve Si/SiO2/Si3N4 alttaşları üzerinde farklı kalınlıklarda büyütülen VOx ince filmlere gaz oranının, alttaş etkisinin ve kalınlığının etkisi incelenmiş, elektriksel ve yapısal özellikleri arasındaki bağlantıya bakılmıştır.
Açıklama
Sadece dijital ortamda erişilebilir.
"Bu tez çalışması Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu Başkanlığı tarafından desteklenmiştir. Proje No: 1803F058 ".
"Bu tez çalışması Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK) tarafından desteklenmiştir. Proje No: 213M494 ".
"Bu tez çalışması Anadolu Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Komisyonu Başkanlığı tarafından desteklenmiştir. Proje No: 1803F058 ".
"Bu tez çalışması Türkiye Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Kurumu (TÜBİTAK) tarafından desteklenmiştir. Proje No: 213M494 ".
Anahtar kelimeler
Yarıiletken filmler, Vanadyum Oksit, Vurmalı - DC Magnetron reaktif sıçratma, Direncin sıcaklık sabiti, Elektriksel direnç, Elektriksel ve yapısal özellikler.