GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken yapılardan aygıt üretimi ve karakterizasyonu
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
Yazarlar
Süreli Yayın başlığı
Süreli Yayın ISSN
Cilt Başlığı
Yayınevi
Anadolu Üniversitesi
Özet
Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs tabanlı yarıiletken kuantum kuyulu yapılar fotolitografi ve ıslak aşındırma yöntemi kullanılarak aygıt haline getirilmiştir. Aygıt üretimi için yarıiletken yapının üzerine aygıt tanımlamaları yapılmış, ıslak aşındırma yöntemi kullanılarak malzeme aşındırılmış ve metal kaplama işlemi sonrasında yapılar paketlenmiştir. Bu basamaklar içerisinde en önemli ve kritik basamak olan ıslak aşındırma yönteminin uygulanması sırasında en uygun karışımın bulunabilmesi için değişik asit karışımları farklı oranlarda kullanılmıştır. Aşındırılan malzemelerin yüzey ve kesit yapıları SEM (taramalı elektron mikroskobu) yöntemiyle detaylı incelenmiştir. Bu çalışmalar sonucunda yüzey kalitesi ve masatepe yapı tanımlamaları için en uygun karışımın sülfürik asit ve sitrik asit olduğu sonucuna varılmıştır.
Açıklama
Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Kayıt no: 181751
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Kayıt no: 181751
Anahtar kelimeler
Galyum arsenür yarıiletkenler, Sülfürik asit, Hidroklorik asit, Sitrik asit
