GaSb alttaş üzerine kaliteli GaSb Epi-katmanlarınbütülmesi ve karakterizasyonu
Yükleniyor...
Dosyalar
Tarih
Yazarlar
Süreli Yayın başlığı
Süreli Yayın ISSN
Cilt Başlığı
Yayınevi
Anadolu Üniversitesi
Özet
Moleküler demet epitaksi yöntemiyle, farklı büyütme ve soğutma parametreleri kullanılarak, GaSb alttaş üzerine GaSb epikatman yapılar büyütülerek karakterizasyonları yapılmıştır. Büyütme ve soğutma parametrelerinin kristal kalitesine ve örnek yüzeyine etkisi incelenmiştir. Büyütme sonrasında uygulanan soğutma sürecinde kullanılan Sb akı miktarının ve Sb akısının sonlandırıldığı alttaş sıcaklık değerinin epikatmanların yüzeylerinde önemli etkileri olduğu belirlendi. Ayrıca, epikatman yüzey kalitesinin aygıt haline getirilme sürecinde tanımlanan mesa yapılarının aşınma profillerine etkisi olduğu tespit edildi ve bu sorun için çözüm üretildi.
Açıklama
Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Kayıt no: 1036802
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Kayıt no: 1036802
Anahtar kelimeler
Galyum arsenür yarıiletkenler, Moleküler demet epiteksi
