GaSb alttaş üzerine kaliteli GaSb Epi-katmanlarınbütülmesi ve karakterizasyonu

Yükleniyor...
Thumbnail Image

Tarih

Süreli Yayın başlığı

Süreli Yayın ISSN

Cilt Başlığı

Yayınevi

Anadolu Üniversitesi

Özet

Moleküler demet epitaksi yöntemiyle, farklı büyütme ve soğutma parametreleri kullanılarak, GaSb alttaş üzerine GaSb epikatman yapılar büyütülerek karakterizasyonları yapılmıştır. Büyütme ve soğutma parametrelerinin kristal kalitesine ve örnek yüzeyine etkisi incelenmiştir. Büyütme sonrasında uygulanan soğutma sürecinde kullanılan Sb akı miktarının ve Sb akısının sonlandırıldığı alttaş sıcaklık değerinin epikatmanların yüzeylerinde önemli etkileri olduğu belirlendi. Ayrıca, epikatman yüzey kalitesinin aygıt haline getirilme sürecinde tanımlanan mesa yapılarının aşınma profillerine etkisi olduğu tespit edildi ve bu sorun için çözüm üretildi.

Açıklama

Tez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesi
Anadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı
Kayıt no: 1036802

Anahtar kelimeler

Galyum arsenür yarıiletkenler, Moleküler demet epiteksi

Alıntı

Koleksiyonlar

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By