CdZnS yarı iletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı özellikleri

Sadeleştirilmiş öğe sayfası
dc.contributor.advisorAybek, Ahmet Şenol
dc.contributor.authorAteş, Seval
dc.contributor.departmentFen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.date.accessioned2025-12-02T23:27:05Z
dc.date.issued2005
dc.descriptionTez (yüksek lisans) - Anadolu Üniversitesien_US
dc.descriptionAnadolu Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.descriptionKayıt no: 340713en_US
dc.description.abstractSpray-pyrolysis yöntemi ile 300°C taban sıcaklığında elde edilen katkısız ve In katkılı CdZnS filmlerinin elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin polikristal yapıda oldukları saptanmıştır. Filmlerin absorpsiyon spektrumlarından bant yapılarının direkt bant geçişli ve yasak enerji aralıklarının 2.50eV ile 3.70eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin oda sıcaklığında ve karanlık ortamda yapılan akım-voltaj ölçümlerinden, iki farklı iletim mekanizmasına sahip oldukları belirlenmiştir. Bunlar Ohmik ve Space-Charge-Limited iletimlerdir. Filmlerin akım-voltaj karakteristiklerinde ohmik bölgeyi V2 veya trap-filled-limited bölgesinin takip etmesi filmlerin sırasıyla, sığ tuzaklı veya derin tuzaklı yapıya sahip olduklarını gösterir.en_US
dc.identifier.startpageXII, 89 y. : resim + 1 CD-ROM.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11421/26535
dc.language.isoturen_US
dc.publisherAnadolu Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectBileşik yarıiletkenleren_US
dc.subjectSpray Pyrolysisen_US
dc.subjectKatkılı yarıiletkenleren_US
dc.titleCdZnS yarı iletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı özelliklerien_US
dc.typemasterThesisen_US

Dosyalar

Orijinal seri

Şimdi gösteriliyor 1 - 1 / 1
Thumbnail Image
Ad:
340713.pdf
Boyut:
1.13 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Açıklama
Tam Metin/Full Text
İndir

Koleksiyonlar

Theses