CdZnS yarı iletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı özellikleri

Abstract

Spray-pyrolysis yöntemi ile 300°C taban sıcaklığında elde edilen katkısız ve In katkılı CdZnS filmlerinin elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin polikristal yapıda oldukları saptanmıştır. Filmlerin absorpsiyon spektrumlarından bant yapılarının direkt bant geçişli ve yasak enerji aralıklarının 2.50eV ile 3.70eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin oda sıcaklığında ve karanlık ortamda yapılan akım-voltaj ölçümlerinden, iki farklı iletim mekanizmasına sahip oldukları belirlenmiştir. Bunlar Ohmik ve Space-Charge-Limited iletimlerdir. Filmlerin akım-voltaj karakteristiklerinde ohmik bölgeyi V2 veya trap-filled-limited bölgesinin takip etmesi filmlerin sırasıyla, sığ tuzaklı veya derin tuzaklı yapıya sahip olduklarını gösterir.