Yayın:
Comprehensive growth and characterization study on highly n-doped InGaAs as a contact layer for quantum cascade laser applications

Yükleniyor...
Thumbnail Image

Dergi Başlığı

Dergi ISSN

Cilt Başlığı

Yayımcı

Araştırma Projeleri

Organizasyon Birimleri

Dergi Sayısı

Özet

Açıklama

Anahtar kelimeler

Materials science, Doping, Optoelectronics, Substrate (aquarium), Metalorganic vapour phase epitaxy, Dopant, Epitaxy, Laser, Layer (electronics), Electron mobility, Characterization (materials science), Cascade, Nanotechnology, Chemistry, Optics

Alıntı

Koleksiyonlar

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By