Yayın: Scattering analysis of 2DEG mobility in undoped and doped AlGaN/AlN/GaN heterostructures with an in situ Si 3 N 4 passivation layer
Yükleniyor...
Tarih
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayımcı
Özet
Açıklama
Anahtar kelimeler
Passivation, Heterojunction, Materials science, Doping, Optoelectronics, Layer (electronics), In situ, Nanotechnology, Chemistry