GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının optiksel ve elektriksel karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, 7-12 μm tayf bölgesini algılayabilen GaAs/AlGaAs kuantum kuyu kızılötesi foto algılayıcı olarak tasarlanan yapılar araştırıldı. Aygıt haline getirilen yapılar akım-voltaj, voltaj/sıcaklık bağımlı fotolüminesans ve fototepki ölçümleri kullanılarak incelendi. Voltaj ve sıcaklık bağımlı PL ölçümleri, yapının kuantum kuyularındaki enerji seviyelerinin belirlenmesinde kullanıldı. Farklı büyüklüklerde üretilen aygıtların akım-voltaj karakteristikleri aynı akım yoğunlukları ile sonuçlanmış ve büyütülen yapının düzgünlüğü gösterilmiştir. Fototepki ölçümleri sonucunda, 3 yapının da tasarlanma amacına uygun olarak 7-12 μm tayf bölgesinde çalıştığı tespit edilmiştir.