Yakın ve orta dalgaboylu kızılötesi bölgede çalışan tek piksel kızılötesi algılayıcılarda pasivasyon etkisinin incelenmesi

Abstract

Günümüzde yarıiletkenler yaygın olarak askeri, sağlık ve astronomi alanlarında kullanılmaktadır. Dedektörler, transistörler, lazerler ve güneş pilleri bu alanlardaki en yaygın kullanılan yarıiletken malzemelere örnektir. Malzemelerin aygıt haline getirilme sürecinde kullanılan yöntemler ve işlemler aygıtların verimini doğrudan etkilemektedir. Malzemelerin tek piksel aygıta dönüştürülme sürecinde, açıkta kalmış, bağ yapmamış atomlar oluşur ve bu kopuk bağlar yüzey kaçak akımları meydana getirirler. Bu bölgelerde oluşan yüzey kaçak akımları, oluşturulan pikselin performansını kötü yönde etkiler. Yüzey kaçak akımlarını baskılamak için piksellere dielektrik sabiti yüksek malzemeler ile yalıtım (pasivasyon) uygulanmalıdır. Bu çalışma kapsamında, moleküler demet epitaksi tekniği ile büyütülmüş, yakın ve orta dalgaboylu kızılötesi bölgede çalışan, III-V grubu tek piksel algılayıcılarda, farklı dielektrik malzemelerin algılayıcıların performansına etkileri araştırılmıştır.