Püskürtme yöntemiyle elde edilen ZnS filmlerinin sandviç ve düzlemsel formlarda elektriksel özellikleri

Abstract

Polikristal ZnS yarıiletken filmleri planar ve sandviç yapılarında amorf ve ZnO kaplı cam tabanlar kullanılarak püskürtme yöntemiyle elde edilmiştir. Üretilen ZnS filmleri wurtzite yapıda kristallenmiştir ve 3.62 eV değerinde direkt bant aralığınasahiptir. Numunelerin elektriksel özellikleri, akım voltaj karakteristikleri ve 40-300 K sıcaklık bölgesinde, farklı ısıtma hızlarında ısıl yolla uyarılmış akım ölçümü analizleri yardımıyla incelenmiştir. Isıtma hızı ß2=0.06 Ks-¹ olmak üzere tuzaklardaki elektronların farklı başlangıç konsantrasyonları için elde edilen I(T) eğrileri, ZnS filmlerinin TSC eğrisinde gözlenen piklerin birinci mertebeden özelliklere sahip olduğunu göstermektedir. ZnS filminin tuzak parametrelerini belirlemek için,eğri uyumu yöntemi kullanılmıştır. Tuzakların frekans faktörü n, yakalama tesir kesiti S ve yoğunluğu Nt değerleri ZnS filmlerinin TSC eğrisinde gözlenen üç birinci-mertebeden pik için belirlenmiştir.