Püskürtme yöntemiyle elde edilen In2O3'ün elektriksel özellikleri

Abstract

Bu çalışmada, In2O3 yarıiletken filmleri püskürtme yöntemiyle, 350°C, 380°C ve 425°C taban sıcaklıklarında ve cam tabanlar üzerinde elde edilmiştir. Elde edilen filmlerin X-ışınları kırınım desenlerinden filmlerin kristal yapısının polikristal oldukları ve kübik yapıda oluştukları belirlenmiştir. Filmlerin absorpsiyon spektrumlarından yasak enerji aralıklarının 3,71eV ve 3,74eV aralığında değiştiği ve direkt bant geçişli oldukları görülmüştür. Filmler n-tipi elektriksel iletim özelliği göstermiştir. Elde edilen In203 filmlerin, oda sıcaklığında ve karanlık ortamda akım-voltaj ölçümleri alınmış ve filmlerin ohmik iletim mekanizmasına sahip oldukları belirlenmiştir. Yapılan ölçümlerden filmlerin özdirenç değerleri hesaplanmıştır. Hesaplanan özdirenç değerleri 1,54x10-3 ile 4,86x10-3 ohm.cm arasında değişmektedir.