GaSb/InAs süperörgü sistemlerinde karanlık akım hesaplamaları

Abstract

Bu tezde GaSb/InAs süperörgü yapılarında etkin band aralığının, elektron minibandının kuyu ve bariyer katman kalınlıklarına bağlı olarak değişimi ve GaSb/InAs süperörgü sistemi için karanlık akımın düşük geri besleme durumları için voltaja bağlı nasıl değiştiği ele alınmıştır. Kalınlık hesaplamalarında Kronig- Penney modeli esas alınarak Mathematica paket programında hazırlanan kodlar vasıtasıyla band enerjileri elde edilmiştir. Ayrı ayrı, GaSb ve InAs kalınlıkları değiştirilerek kesilim dalgaboyu ve etkin band genişliğinin değişimi incelenmiştir. Daha sonra da sonuçların literatürle uyumlu olup olmadığı araştırılmıştır. GaSb/InAs yapının n ve p tipi katkılanması sonucu elde edilen PN eklemine geri besleme voltajı uygulandığı durumda karanlık akıma etki eden mekanizmalar açıklanmış ve karanlık akımın düşük geri besleme voltajı altında voltaja bağlı değişimi incelenmiştir.