Püskürtme yöntemiyle elde edilen In katkılı Znx Cd1-xO filmlerinin elektriksel ve optik özellikleri

Abstract

Bu çalışmada, II-IV bileşiklerinden olan ZnxCd1-xO ve In katkılı ZnxCd1-xO yarıiletken filmlerinin bazı elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. Filmler püskürtme yöntemiyle (spray-pyrolysis) cam tabanlar üzerinde elde edilmişlerdir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen katkılı ve katkısız filmlerin kübik veya hekzagonal yapıda ve polikristal oldukları saptanmıştır. XRD sonuçları, tercihli yönelmelerin, CdO ve ZnO konsantrasyonuna bağlı olduğunu göstermektedir. Filmlerin yasak enerji aralığının direkt bant geçişli olduğu ve değerlerinin 2.25-3.3eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Bütün filmlerin n-tipi iletkenlik gösterdikleri belirlenmiş ve I-V karakteristiklerinden ohmik iletim mekanizmasına sahip oldukları gözlenmiştir. Hesaplanan iletkenlik değerlerinin katkısız ve katkılı ZnxCd1-xO filmler için sırasıyla 5x10­-³-3.7x10-6 (Wcm) ve 1.2x10-³-4x10-³ (Wcm)-¹ arasında değiştikleri bulunmuştur.