(GaAs)n/(InAs)n (n=1,2,3) süperörgü yapılarının teorik incelenmesi

Abstract

Bu tez çalışmasında, son yıllarda maddelerin özelliklerinin incelenmesinde yaygın olarak bilim insanları tarafından kullanılan ab initio yöntemlere dayanarak (GaAs)n/(InAs)n (n=1,2,3) süperörgü yapılarının yapısal özellikleri ve örgü dinamikleri incelenmiştir. Hesaplamalar bölgesel yoğunluk yaklaşımı çerçevesinde norm-korunumlu pseudopotansiyeller kullanılarak yoğunluk fonksiyonel ve yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisi ışığı altında optimize edilmiş pseudopotansiyeller ve düzlem dalga temelinde yapılmıştır. Hesaplamaların ilk aşamasında GaAs ve InAs yapıları için optimizasyon sonuçları elde edilerek gerekli veriler elde edilmiş ve bu optimizasyon sonuçlarının literatürde mevcut verilerle uyumlu oldukları gözlendikten sonra bu yapılar için bant yapısı, durum yoğunlukları, fonon dağılım eğrileri ve fonon durum yoğunluğu grafikleri elde edilmiş, daha sonra, bu işlemler (GaAs)n/(InAs)n (n=1,2,3) süperörgü yapıları için yapılmıştır. Hesaplama sonuçlarının büyük çoğunlukla ulaşılabilir literatür verileriyle uyumlu oldukları gözlenmiştir.