GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi

Abstract

GaAs ve A1GaAs bileşikleri yüksek bağlanma gücü, ısıl kararlılık ve kolay katkılanabilme gibi özelliklere sahip olması nedeniyle kuantum kuyu yapılarında yaygın olarak kullanılmaktadır. GaAs/AlGaAs kuantum kuyulu yapılarda, AlGaAs bileşiğindeki Al oranına bağlı olarak bariyer yüksekliği, kuyunun katkılama miktarı ve kuyu genişliği değiştirilerek kuantum kuyusunun algılama bölgesi ayarlanabilir. Bu özellikleriyle adı geçen yapılar, kızılötesi algılayıcılar için verimli ve elverişli malzemelerdir. Bu çalışmada, GaAs/AlGaAs yapılarının yapısal olarak incelenmesi ve Al-Ga-As konsantrasyonlarının belirlenerek yapıya etkisinin gözlenmesi amaçlanmıştır. Moleküler demet epitaksi tekniği ile büyütülmüş çoklu GaAs/AlGaAs kuantum kuyu yapıların, odaklanmış iyon demeti tekniği ile inceltilerek, taramalı geçirimli elektron mikroskobu, enerji dağılım x-ışını spektroskopisi, enerji filtreli geçirimli elektron mikroskobu ve elektron enerji kaybı tayfı teknikleri kullanılarak analizi yapılmıştır.