Yarıiletkenlerin optik özellikleri

Abstract

Elektronik enndüstirisinde ve günlük yaşamımızda önemi tartışılmayacak kadar büyük olan yarıiletkenlerin optik özellikleri oldukça geniş kapsamlıdır. Bu çalışmada yeteri kadar enerjiye sahip bir fotonun sogurulması ve vlans banddan iletim bandına bir elektron geçişi ele alınmıştır. Vlans banddan bir elektronun iletim bandına geçişi, bir foton soğurularak, iki türlü olmaktadır. i)direkt geçiş, ii) indirekt geçiş. Bunlardan birincisinde valans bandındaki elektronun iletim bandına geçmesi sonucu momentumunda bir değişikliğin olmamasıdır. Diğerinde ise iletim bandına geçen elektronun momentumunun valans bandındaki durumuna göre farklı olmasıdır. Bu durumda momentumun korunumu için bir fononun oluşumu veya soğurulması söz konusudur. Püskürtme yöntemi ile elde edilen ve Cd-Pb-S bileşiklerinin temel absorbsiyonu elde edilmiştir. Absorbsiyon spektrumlarından, bu iki bileşikte de direkt geçiş olduğu, bir başka deyişle, band yapılarının direkt band olduğu ve agInS2 bileşiğinde yasak enerji aralığı 1.94 eV ve Cd-Pb-S bileşiğinde de 2.25 eV olarak belirlenmiştir. Cd-Pb-S bileşiğinde 1,44 eV olaral ölçülen ikinci bir band aralığının nereden kaynaklandığı belirtilmemiş ancak bileşikte bulunan PbS'ün etkisinin önemi vurgulanmıştır.