Effect of duty cycle on the properties of vanadium oxide thin films deposited by pulsed dc reactive magnetron sputtering

Abstract

Vanadyum oksit dört temel oksit formuna sahip amfoterik bir malzemedir. Vanadyum oksit ince filmlerin özellikleri bu dört temel fazın ve ara fazların yapı içerisindeki miktar ve dağılımlarına bağlı olarak değişmektedir ve bu sayede farklı uygulama alanlarında kullanılabilmektedir. Fiziksel buhar biriktirme yöntemlerinden biri olan atmalı DC reaktif magnetron sıçratma tekniği ile farklı fazlar ve bu fazların birbirlerine oranlarının ayarlanmasında etkili parametrelerden biri de güç kaynağı görev döngüsüdür. Bu tez çalışması güç kaynağı görev döngüsünün vanadyum oksit ince filmlerin özelliklerine etkisinin incelenmesi amacıyla yapılmıştır. Çalışmada %10 ile %32,5 görev döngüsü değerleri arasında üretilen ince filmler üzerinde elektriksel özellikler, yüzey özellikleri ve kristalografik özellikler ile görev döngüsü parametresi arasındaki ilişki incelenmiştir. Elektriksel karakterizasyon sonuçları görev döngüsü ile elektriksel direnç ve özdirenç arasında ters ilişki olduğunu göstermiştir. Elde edilen sonuçlar seçilen alana uygun vanadyum oksit ince filmin büyütülmesi için gereken özelliklere uygun olan görev çevrimi parametresinin belirlenmesine katkı sağlamaktadır.