In2o3 yarıiletken filminin döndürerek kaplama yöntemiyle elde edilmesi

Abstract

Bu tez çalışmasında, geçirgen iletken oksitlerden In2O3 yarıiletken filmleri döndürerek kaplama tekniği ile cam tabanlar üzerine üretilmiştir. Döndürerek kaplamanın her bir parametresini değiştirmek suretiyle en iyi filmin oluşacağı şartlar belirlenmiştir. Son aşamada 375 oC, 425 oC ve 475 oC tavlama sıcaklıklarında filmler üretilmiştir. Elde edilen In2O3 yarıiletken filmlerin bazı özellikleri incelenmiştir. In2O3 yarıiletken filmlerin kalınlıkları elipsometri ölçümleri ile belirlenmiştir. Filmlerin x-ışını kırınım desenleri incelendiğinde numunelerin polikristal yapıda oluştuğu ve tavlama sıcaklığının filmlerin yapısal özelliklerini iyileştirdiği sonucuna ulaşılmıştır. Yüksek geçirgenlikteki In2O3 yarıiletken filmlerin optik özellikleri incelenmiş ve filmlerin direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmıştır. Tavlama sıcaklığının 375 oC `den 475 oC çıkması yasak enerji bant aralığında herhangi bir değişime neden olmadığı gözlenmiştir. Absorpsiyon spektrumlarından yararlanılarak yasak enerji aralığı değerleri 3,48 eV ve 3,49 eV olarak hesaplanmıştır. Filmlerin yüzey topografileri, alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu ile incelenmiştir. Bu görüntülerde film karakteristik kristal yapısı gözlenmiştir.