CdZnS yarı iletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı özellikleri

Yayın:
CdZnS yarı iletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı özellikleri

dc.contributor.author	Ateş, Seval
dc.contributor.department	Fizik Anabilim Dalı
dc.date.accessioned	2026-07-03T01:25:09Z
dc.date.issued	2005
dc.description	Sadece dijital ortamda erişilebilir.
dc.description.abstract	Spray-pyrolysis yöntemi ile 300°C taban sıcaklığında elde edilen katkısız ve In katkılı CdZnS filmlerinin elektriksel ve optik özellikleri incelenmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden, elde edilen filmlerin polikristal yapıda oldukları saptanmıştır. Filmlerin absorpsiyon spektrumlarından bant yapılarının direkt bant geçişli ve yasak enerji aralıklarının 2.50eV ile 3.70eV arasında değiştiği belirlenmiştir. Filmlerin oda sıcaklığında ve karanlık ortamda yapılan akım-voltaj ölçümlerinden, iki farklı iletim mekanizmasına sahip oldukları belirlenmiştir. Bunlar Ohmik ve Space-Charge-Limited iletimlerdir. Filmlerin akım-voltaj karakteristiklerinde ohmik bölgeyi V2 veya trap-filled-limited bölgesinin takip etmesi filmlerin sırasıyla, sığ tuzaklı veya derin tuzaklı yapıya sahip olduklarını gösterir.	tur
dc.identifier.other	340713
dc.identifier.uri	https://hdl.handle.net/11421/44741
dc.language.iso	tur
dc.publisher	Anadolu Üniversitesi
dc.subject	Bileşik yarıiletkenler
dc.subject	Spray Pyrolysis
dc.subject	Katkılı yarıiletkenler
dc.title	CdZnS yarı iletken bileşiğine In katkılanarak elde edilen filmlerin bazı özellikleri
dc.type	masterThesis
dspace.entity.type	Publication

Şimdi gösteriliyor 1 - 1 / 1