InN ve GaInN örneklerde galvanomagnetik ölçümler

Abstract

Bu tezde InN ve Ga1-xInxN örneklerde galvonomagnetik ölçümler yapıldı. Deneylerde üç farklı örnek grubu kullanıldı. Örnekler Molecular Beam Epitaxy (MBE) büyütme sistemi ile Cornell Üniversitesi (Amerika Birleşik Devletleri) ve Crete Üniversitesi (Yunanistan) tarafından büyütüldü. Cornell Üniversitesi‟nde büyütülen Ga1-xInxN örneklerde indium yoğunluğu 1≥x≥0,44 arasındadır. Crete Üniversitesi‟nde büyütülen InN örnekler ise (i) InN tabaka kalınlığı 1,08 μm, 2,07 μm ve 4,7 μm olan hacimli (bulk) örnekler; (ii) InN tabaka kalınlığı 0,4 μm, 0,6 μm ve 0,8 μm olan GaN/AlN/InN heteroeklem örnekler olarak iki farklı grup şeklindedir. Hall mobilitesi ve Hall taşıyıcı yoğunluğu, sıcaklığın fonksiyonu olarak 1,7-275 K aralığında ölçüldü. Cornell Üniversitesi tarafından büyütülen Mg-Katkılı InN örneğinde ve Crete Üniversitesi tarafından büyütülen 1,08 μm kalınlığa sahip hacimli InN örneğinde süperiletkenlik davranışı gözlendi. Hall mobilitesinin sıcaklığa bağlı davranışları ile Raman ölçümlerinin sonuçları analiz edilerek optik fonon enerjisi belirlendi. Magnetotransport ölçümleri 1,8-275 K sıcaklık aralığında ve yüksek magnetik alan (0-11T) altında yapıldı.