Nano ölçekli vanadyum oksit ince filmlerinin yapısal ve elektriksel karakterizasyonu

Abstract

Bu çalışmada, VOx ince filmler, farklı O2/Ar (%) oranlarda ve 20 - 80 nm kalınlık aralığında DC magnetron reaktif sıçratma tekniği kullanılarak Si/SiO2 altlık üzerine üretilmişlerdir. Üretilen VOx ince filmlerin TCR, ROS ve özdirençlerinin tespiti için FPP tekniği kullanılarak yapılan ölçümler sonucunda, en yüksek TCR değeri - 3,32 %.C⁻¹ ve yaprak direnci 5414 kΩ/□ olarak belirlenmiştir. Bu sonuçlara göre, belirlenen TCR değerinin literatürdeki değerlerden yüksek olduğu tespit edilmiştir. Buna rağmen VOx ince filmlerin uygulamalar için sınır değerin çok üzerinde ROS değerine sahip olduğu belirlenmiştir. Elde edilen ölçüm sonuçlarında, filmlerin TCR değerlerinin O2/Ar (%) oranının artışıyla arttığı tespit edilmiştir; fakat kalınlığın değişimi için benzer ilişki tespit edilememiştir. Üretilen VOx ince filmlerde yarıiletken fazdan metalik faza geçiş özelliği tespit edilememiştir. Yapısal özelliklerinin tespiti için kullanılan XRD ve GIXRD teknikleriyle yapılan ölçüm sonuçlarından üretilen VOx ince filmlerin amorf olduğu tespit edilmiştir.