GaN tabanlı sıcak elektron ışın yayıcı hetero-yapılar

Abstract

Bu çalışmada, elektronik ve opto-elektronik aygıtların üretilmesinde kullanılan InxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların optik özellikleri incelenmiştir. Farklı kuantum kuyu sayısına ve In miktarına sahip olan örnekler safir alttaş üzerine büyütülmüştür. Optiksel ölçümlerin ilk kısmında, InxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyu yapıların yayınım mekanizmasını incelemek için sıcaklığa bağlı (3-300 K) fotolüminesans ölçümleri alındı. Numunelerin fotolüminesans spektrumlarında gözlenen InxGa1-xN çoklu kuantum kuyusuna ait ana geçişin pik enerjisinin ve GaN bariyer pik enerjisinin sıcaklığa bağlı değişimleri temel Varshni ve Bant kuyruk modelleri ile desteklenerek incelendi. Kuantum kuyu sayısı ve In konsantrasyonunun bu parametreler üzerindeki etkisi araştırıldı. Çalışmanın ikinci kısmında ise sıcaklığa bağlı Raman ölçümleri alındı. Elde edilen spektrumlarda InxGa1-xN/GaN çoklu kuantum kuyu örneklerin boyuna optik fonon enerjileri belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatür ile karşılaştırmalı olarak değerlendirildi.