Kimyasal depolama yöntemi ile elde edilen ZnS yarıiletken filmlerin yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Abstract

Bu çalışmada, ZnS yarıiletken filmleri farklı depolama sürelerinde ve farklı depolama sıcaklıklarında bekletilerek cam alttabanlar üzerine kimyasal depolama yöntemiyle elde edilmiştir. X-ışını kırınım desenlerinden elde edilen filmlerin amorf ve hekzagonal yapıda oldukları saptanmıştır. Absorpsiyon spektrumu ölçümlerinden filmlerin direkt bant aralığına sahip olduğu ve yasak enerji aralığının 3.85 eV ile 3.97 eV arasında değiştiği belirlenmiştir. I-V ölçümlerinden ohmik iletim mekanizması gözlenmiştir. Filmlerin elektriksel iletkenlik değerleri s = 9.1x10-10 (Wcm)-1 ile s = 1.47x10-9 (Wcm)-1 arasındadır. Elde edilen filmler 400 °C'de bir saat tavlama işlemine tabi tutulmuş ve tavlamanın elektriksel iletkenlik üzerine etkisi araştırılmıştır. Sıcaklığa bağlı akım ölçümlerinden aktivasyon enerjileri 0.01 eV ile 0.81 eV arasında bulunmuştur.