Farklı sol parametrelerinde sol jel yöntemiyle elde edilen ZnO filmlerinin karakterizasyonu ve elektronik aygıt uygulamalar

Abstract

Bu çalışmada, Çinko Oksit (ZnO) filmleri, p-Si alttaşlar üzerine sol-jel spin kaplama yöntemiyle üç farklı tipte çözelti hazırlanılarak elde edilmiştir. Farklı çözücülerin, ZnO filmlerinin yapısal ve morfolojik özelliklerine etkileri araştırılmıştır. XRD desenleri tüm filmlerinin hekzagonal yapıda olduğunu göstermiştir. ZnO filmlerinin kristal boyutu (D), örgü parametreleri (a, c) ve yapılanma katsayısı (TC) değerleri hesaplanmıştır. Filmlerin morfolojik özellikleri FESEM görüntülerinden incelenmiştir. Yapısal ve morfolojik özelliklerine göre en iyi ZnO filmleri seçilerek pSi/ n-ZnO heteroeklem diyot fabrikasyonu yapılmıştır. Bu diyotların elektriksel karakterizasyonu incelenmiştir. Heteroeklem diyotların I-V ölçümlerinden, idealite faktörü (n) ve bariyer yüksekliği (  b) değerleri hesaplanmıştır. Bu diyotların seri direnç (Rs) ve bariyer yüksekliği (  b), Norde metodu kullanılarak hesaplanmıştır. Deneysel sonuçlar, metal ve yarıiletken ara yüzeyindeki durumların ve seri direncin heteroeklem diyotların elektriksel özelliklerinde önemli faktör olduğunu göstermiştir.