Orta kızılötesi bölgede (3-5 μm) InAs/GaSb süperörgü p-i-n ışık algılayıcı yapıların elektromanyetik alan tepkisi

Abstract

Bu tezde bir ince film topluluguna gönderilen TE ve TM modundaki elektromanyetik dalgaların, matris yöntemiyle yansıtıcılıgı ve geçirgenligi incelenmiştir. Burada yapılan hesaplamalarda ince film olarak bir ışık algılayıcı InAs/GaSb süper örgü p-i-n yapısı baz alınmıştır. InAs ve GaSb için dalga boyuna bağlı kırılma indisleri ve sönüm sabitleri Sellmeier ve Forouhi-Bloomer dağınım bağıntıları yardımıyla hesaplanmıştır. İnce film topluluğu üzerine gönderilen elektromanyetik dalganın geliş açısına ve polarizasyonuna bağlı olarak topluluğun yansıtıcılığındaki değişimler araştırılmıştır. Ayrıca ince film topluluğunun tabaka sayısına ve katkılama miktarına bağlı olarak topluluğun yansıtıcılığındaki değişimler de göz önünde bulundurulmuştur. Değisik polarizasyon, açı ve tabaka sayıları için yapılan hesaplamalar yardımıyla elde edilen sayısal simülasyonlar sunulmuştur.